（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201710953193.6 （22）申请日 2017.10.13 （71）申请人 上海交通大学
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
（10）申请公布号 CN107561817A
（43）申请公布日 2018.01.09
（72）发明人 丁婷婷;郑远林;陈险峰 （74）专利代理机构 上海交达专利事务所
代理人 王毓理
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法
（57）摘要
一种铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方
法，通过首先在铌酸锂单晶薄膜样品表面甩胶后模压得到纳米梳状结构，然后在纳米梳状结构上镀制金属膜层作为顶电极，再通过铌酸锂单晶薄膜样品中的导电电极层和顶电极进行极化处理，最后通过去除甩胶和导电电极层，得到周期性极化铌酸锂薄膜。本发明制备流程方便易操作，通过本发明可以在几百纳米厚的铌酸锂单晶薄膜上获得大面积的纳米级周期性极化畴反转结构。
法律状态
法律状态公告日
2018-01-09 2018-01-09 2018-02-02
公开 公开
实质审查的生效
法律状态信息
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法律状态
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权利要求说明书
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说明书
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