专利名称：集成电路布图结构专利类型：发明专利发明人：赵奂
申请号：CN201810967221.4申请日：20180823公开号：CN109037209A公开日：20181218
摘要：本发明公开了一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。本发明的布图结构能在满足集成电路布图最小物理规则前提下，使相邻半导体器件满足温度耦合或感应要求。
申请人：湖南格兰德芯微电子有限公司
地址：412000 湖南省株洲市天元区中达路9号企业会所四楼
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：焦天雷
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