专利名称：降低晶片翘曲的装置、系统和方法专利类型：发明专利
发明人：A·小福恩特斯,R·小阿蒂恩扎,C·克拉维奥申请号：CN03810826.7申请日：20030428公开号：CN1653594A公开日：20050810
摘要：通常，在背面研磨期间，通过一个带来保护晶片的正面。在背面研磨操作期间静电荷会积聚在该带上。由于变薄的晶片没有足够的刚度抵抗由静电荷积聚产生的弯曲力，所以在背面研磨操作之后，晶片会翘曲。为了减小晶片的翘曲，可以将电离气体引导到晶片和带上，以减少静电荷的积聚。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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