专利名称：一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成
模块
专利类型：发明专利
发明人：王康平,杨旭,曾翔君,马焕,余小玲,郭义宣申请号：CN201410359745.7申请日：20140725公开号：CN104157634A公开日：20141119
摘要：本发明提供一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，包括上桥臂器件、下桥臂器件和母线电容，上桥臂器件、下桥臂器件是LGA封装的GaN器件，母线电容是贴片封装。两个GaN器件并排放置，多个母线电容放置在两个GaN器件中间。上桥臂器件的每一个源极引脚和下桥臂器件的一个漏极直接相连，上桥臂器件的每一个漏极和下桥臂器件的一个源极分别连接到一个母线电容的两个电极。本发明采用的布局方式，可以有效地减小高频功率回路的面积，同时充分利用了LGA封装漏极和源极引脚交错排列的结构，构成多个交错并联的高频功率电流回路，从而明显地降低了高频功率回路寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡。
申请人：西安交通大学
地址：710049 陕西省西安市咸宁路28号
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：陆万寿
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