专利名称：TFT阵列基板的制作方法专利类型：发明专利发明人：王勐
申请号：CN201710245925.6申请日：20170414公开号：CN107104077A公开日：20170829
摘要：本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法，以半色调掩膜板(3)为工具进行曝光，使得第二金属层(M2)中放电TFT(T3)的漏极(D3)及其爬坡处的上方保留薄层的光阻(PR)，在后续的干法蚀刻过程中被保留的薄层的光阻(PR)对位于所述放电TFT(T3)的漏极(D3)的爬坡处以下的栅极绝缘层(GI)进行保护，避免栅极绝缘层(GI)在放电TFT(T3)的漏极(D3)的爬坡处因材质差异发生过蚀刻及底切问题，降低导电薄膜(9)破膜的风险，使得放电TFT(T3)的漏极(D3)与公共电压线(Com)之间的桥接可靠，且不会损失开口率，从而改善面板的显示效果，提高产品良率。
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
地址：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
国籍：CN
代理机构：深圳市德力知识产权代理事务所
代理人：林才桂
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容