专利名称：一种利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方
法
专利类型：发明专利
发明人：刘骅锋,涂良成,宋萧萧,渠自强,伍文杰申请号：CN201711295820.8申请日：20171208公开号：CN108151735A公开日：20180612
摘要：本发明公开了一种利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方法，主要包括以下步骤：(1)处理SOI片：在SOI片的器件层上制作驱动电容极板和封装凸点，采用深硅刻蚀工艺加工刻蚀槽直至SOI片的牺牲层，完成硅基检验质量块和弹簧的一体化加工；在支撑层上制作掩膜，采用深硅刻蚀工艺制作释放孔结构直至SOI片的牺牲层；通过释放孔刻蚀SOI片的牺牲层，使可活动的部件被释放；(2)制作盖板；(3)将SOI片与盖板两者进行对准封装，形成MEMS惯性传感器。本发明通过对关键器件层、支撑层的选取，以及对电容位移检测方式进行改进，与现有技术相比能够有效制作大检验质量块和较高的电容位移检测精度、解决MEMS惯性传感器精度不高的问题。
申请人：华中科技大学
地址：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
国籍：CN
代理机构：华中科技大学专利中心
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