专利名称：一种半导体器件图形化测试方法专利类型：发明专利
发明人：詹惠琴,崔喜乐,罗猛,王敏,赵辉,金鸣,朱龙飞,古天祥申请号：CN201110416766.4申请日：20111214公开号：CN102520343A公开日：20120627
摘要：本发明公开了一种半导体器件图形化测试方法，通过将测试程序分为顶层、测试指标层以及编程模块层，顶层测试流程以测试指标组成，测试指标层由编程模块按照半导体测试步骤构建而成，而编程模块层则对应该步骤的操作及其所需要的参数，测试程序开发时，只需要为每个半导体器件按测试指标，将每个测试指标建立子流程，然后在图形化参数设置界面中，对流程中每一步骤对应的编程模块进行参数设置，完成后，自动生成文本、解释为C源程序并编译为ARM可执行文件，然后通过USB下载到测试仪运行，对半导体器件进行测试。开发便捷性得到了提高、同时缩短开发周期，并增强测试程序的可维护性。
申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
代理机构：成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人：温利平
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