Si2301是一种p沟FET。 简介
Si2301是一种MOS晶体管，是一种场效应晶体管。 主要参数
晶体管类型：p沟道MOSFET 最大功耗PD:1.25W
门阈值电压VGS:2.5V（典型值） 漏源电压VDS:-20V（极限值）
漏极电流ID:TA=25°时为2.3A，TA=70°时为1.5A 导通状态电阻RDS（On）：0.145ohm（典型值） 栅漏电流IGSS：±100na 结温：55°C至+150°C 包装：SOT-23（to-236）
替代模型
WT-2301 WTC2301 SMG2301CES2301 KI2301BDS 包装类型 SOT-23
什么是MOS管：
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管。或者叫做金属绝缘体半导体。 双极晶体管放大输入电流的微小变化，然后在输出端输出大电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比（β）。另一种晶体管称为（FET），它将输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导，定义为输出电流变化与输入电压变化的比率。
FET的名字也来源于它的输入（称为栅极），它通过在绝缘层上投射电场来影响流过晶体管的电流。实际上，没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的栅电流非常小。最常见的场效应晶体管使用一层薄薄的二氧化硅作为栅极下的绝缘体。金属氧化物晶体管（或称金属氧化
物晶体管，简称金属氧化物晶体管）。由于MOS管体积更小，功率效率更高，在许多应用中，它们已经取代了双极晶体管。
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容