专利名称：一种栅控石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯
片
专利类型：发明专利
发明人：曹高奇,仇志军,丛春晓,邵秀梅,李雪,胡来归,龚海梅申请号：CN201810628307.4申请日：20180619公开号：CN108899378A公开日：20181127
摘要：本发明属于是探测器芯片技术领域，具体为一种栅控石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片。本发明InGaAs探测器芯片，在InP衬底之上结构依次为：InP接触层、InGaAs吸收层、氧化硅（SiO）介质层、石墨烯层、源极金属电极、漏极金属电极以及栅极金属电极；本发明的优点在于：一方面利用栅控界面电场分离光生载流子，并在石墨烯中感应出反型载流子来实现光谱探测；另一方面石墨烯无禁带宽度且其光学透过性极好，因为InGaAs材料能够吸收1.7µm至紫外波段的光，所以该探测器能够实现紫外至近红外波段的探测；此外，由于石墨烯具有高的迁移率和载流子传输特性，使得该探测器拥有较高的量子增益特性。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市杨浦区邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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