专利名称：半导体测试结构专利类型：实用新型专利发明人：温娟,张冠,孙艳辉,董燕申请号：CN201621431609.5申请日：20161223公开号：CN206271698U公开日：20170620
摘要：本实用新型公开了一种半导体测试结构，包括待测试结构，所述待测试结构位于至少两个测试焊垫之间；保护电阻，所述保护电阻的一端串联在所述待测试结构的任意一个所述测试焊垫上，所述保护电阻的另一端与一最终测试焊垫相连。本实用新型通过在待测试结构的一端串联一保护电阻，当所述待测试结构中出现被击穿现象时，所述保护电阻能够起到分压的作用，以保护探针不被烧坏。所述半导体测试结构既能完成所述待测试结构的击穿性质的测试，又无需对探针板进行改进，并且能够保护探针板上的探针。所述半导体测试结构使得测试过程简单且高效，降低了测试成本。
申请人：中芯国际集成电路制造(天津)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：300385 天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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