专利名称：一种亚阈值全CMOS基准电压源专利类型：实用新型专利
发明人：韦雪明,朱智勇,段吉海,邓进丽,赵洪飞,乔帅领申请号：CN201520900615.X申请日：20151112公开号：CN205139757U公开日：20160406
摘要：本实用新型公开一种亚阈值全CMOS基准电压源，启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点，进入正常工作状态。亚阈值运算放大器保证低功耗的同时，提供更大的增益，提高电源电压抑制比。纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流，抑制电源噪声，为基准电压产生电路提供电流偏置。基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差，通过相互调节，得到一个与温度无关的参考电压。本实用新型未使用无源电阻、二极管或者三极管，与标准CMOS工艺兼容，大大减小了版图面积，降低了生产成本，功耗低，同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。
申请人：桂林电子科技大学
地址：541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
国籍：CN
代理机构：桂林市持衡专利商标事务所有限公司
代理人：陈跃琳
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