专利名称：一种利用分子束外延制备半导体器件的方法及半导
体器件
专利类型：发明专利发明人：冯巍,谢小刚
申请号：CN202010041884.0申请日：20200115公开号：CN111243953A公开日：20200605
摘要：本发明提供一种利用分子束外延制备半导体器件的方法及半导体器件，涉及半导体技术领域。该方法包括：a)在砷化镓衬底上在第一温度下生长第一砷化镓缓冲层，其中，砷源分子束与镓源分子束的束流比大于或等于2.5:1；b)在第一砷化镓缓冲层上在第二温度下生长第二砷化镓缓冲层；c)在第二砷化镓缓冲层上生长器件功能层，其中第一温度比第二温度低预设温差值，且第一缓冲层的厚度小于或等于50nm。通过将砷源与镓源分子束的束流比设定为大于或等于2.5:1，只需在比第二缓冲层的生长温度低预设温差值的低温下生长小于或等于50nm的低温砷化镓缓冲层即可实现抑制背栅效应的效果，与现有技术相比，大幅降低了抑制背栅效应所需的缓冲层的厚度。
申请人：新磊半导体科技(苏州)有限公司
地址：215151 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房
国籍：CN
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