专利名称：采用T型栅结构的浮栅闪存器件及其制造工艺方法专利类型：发明专利发明人：林钢,杨斌
申请号：CN200810044020.3申请日：20081127公开号：CN101740638A公开日：20100616
摘要：本发明公开了一种采用T型栅结构的浮栅闪存器件，由下至上依次包括：隧穿氧化层、多晶硅浮栅层和ONO层，ONO层和多晶硅浮栅层中间被刻蚀成一凹槽，在该凹槽的多晶硅浮栅层侧壁形成栅氧化层，多晶硅覆盖在浮栅上方和该凹槽中，形成T型栅结构的多晶硅电极。此外，本发明还公开了上述采用T型栅结构的浮栅闪存器件的制造工艺方法。本发明通过栅氧化层和多晶硅层的物理隔离，实现了浮栅闪存单元镜像存储，使存储密度加倍。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：顾继光
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容