（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200510096501.5 （22）申请日 2005.08.22 （71）申请人 三星电子株式会社
地址 韩国京畿道
（10）申请公布号 CN1737193A （43）申请公布日 2006.02.22
（72）发明人 李正贤;相崔俊
（74）专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
代理人 张平元
（51）Int.CI
C23C16/00; C23C16/513; C23C16/06; C23C16/40;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
利用氧化还原反应沉积贵金属电极的方法
（57）摘要
本发明提供一种利用氧化还原反应沉积贵
金属电极的方法。该方法包括向反应室中注入贵金属源气体、氧化气体和还原气体；及在该反应室中产生等离子体，以在底部结构上形成贵金属层或贵金属氧化物层。由此，该贵金属电极具有
优异的层质量。
法律状态
法律状态公告日
2006-02-22 2007-06-27 2010-10-06
公开
实质审查的生效 授权
法律状态信息
公开
法律状态
实质审查的生效 授权
权利要求说明书
利用氧化还原反应沉积贵金属电极的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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