专利名称：超高纯砷单晶体片的制备方法专利类型：发明专利发明人：陈国忠,杨卫东申请号：CN201210312574.3申请日：20120830公开号：CN102899712A公开日：20130130
摘要：本发明公开了一种超高纯砷单晶体片的制备方法,包括如下步骤：（1）石英管表面处理（2）超高纯砷脱氧封装（3）置于水平管式炉内（4）水平管式炉熔料和冷却结晶，本发明利用石英管封闭和砷高温熔化时自身产生的压力，达到砷熔化和晶体生长的目的，在常温过冷条件下，管内液态砷达到过冷度时生长晶体，每管生成30～60片，并以孪晶方式生成单晶片，可满足国内产品质量要求及出口质量要求，有较好的应用前景。
申请人：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
地址：614200 四川省乐山市峨眉山市符北路88号
国籍：CN
代理机构：成都九鼎天元知识产权代理有限公司
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