专利名称：一种制备太阳能级多晶硅的方法专利类型：发明专利
发明人：马文会,戴永年,杨斌,王华,刘大春,徐宝强,李伟宏,杨
部正,刘永成,汪竞福,周晓奎
申请号：CN200610010654.8申请日：20060125公开号：CN1803598A公开日：20060719
摘要：本发明涉及一种制备太阳能级多晶硅的方法，采用冶金级硅作为原料，经破磨后得粒度为50目以上的硅粉物料，硅粉物料分别用浓度为1－6mol/l的盐酸、浓度为0.5－6mol/l的硝酸和浓度为1－5mol/l的氢氟酸进行酸浸处理，酸浸后加入真空炉内进行真空精炼处理，真空精炼分两阶段，第一阶段为真空氧化精炼，控制炉内温度为1430－1500℃，真空度为90000－1000Pa，第二阶段，即真空蒸馏精炼和真空脱气阶段，控制炉子真空度10－2－10－5Pa，温度1430－1500℃，最后经定向凝固及切头处理，获得太阳能级多晶硅产品。其硅的纯度为99.9999％以上，比电阻超过0.4Ω·cm，以满足太阳能电池行业所需硅原料的要求。
申请人：昆明理工大学
地址：650031 云南省昆明市学府路253号
国籍：CN
代理机构：昆明慧翔专利事务所
代理人：程韵波
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