专利名称：一种发光二极管专利类型：实用新型专利
发明人：刘兆,吕奇孟,刘英策,杨国武,霍子曦,曹衍灿,唐浩,胡
慧琴
申请号：CN201820532211.3申请日：20180413公开号：CN207947305U公开日：20181009
摘要：本申请公开了一种发光二极管，其中，所述发光二极管的电流阻挡层位于外延结构与透明导电层之间，所述电流阻挡层中具有多个孔洞，所述透明导电层通过这些孔洞实现与外延结构的欧姆接触，从而实现了局部点式发光，提升了发光二极管的发光亮度；并且由于多个所述孔洞介于外延结构与透明导电层之间的电流阻挡层中，不存在由于孔洞未完全刻穿而导致的第一电极无法与透明导电层形成良好欧姆接触的问题，降低了所述发光二极管的制备难度；进一步的，由于多个所述孔洞在所述衬底上的正投影位于预设区域中，降低了第一扩展电极下方的电子‑空穴复合数量，从而降低了被所述第一扩展电极反射和吸收的光子，从而提升了发光二极管的发光效率。
申请人：江西乾照光电有限公司
地址：330103 江西省南昌市新建区望城新区璜溪大道19号十楼1069室
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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