半超结SBD的研究

２０１３年第２期　信息通信　２Ｏ１３　（总第１２４期）　ＩＮＦＯＲＭＡＴ１０Ｎ＆ＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴ１０ＮＳ　（Ｓｕｍ．Ｎｏ　１２４）　●　■　基于电子地图的无线电波传播预测　杨迪　（中国空空导弹研究院，河南洛阳４７１００９）　摘要：无线通信中无线电波的场强预测问题对于整个无线通信网络规划尤为重要，准确的传播预测对于网络的优化以及　基站位置的选择有着重要的参考价值。在特定环境中，电波预测经验模型由于其难以获得详细的地理信息，没法得到足　够精度的预测结果。现在，电子地图已经广泛应用于通信预测、导航等各个方面。因此，基于电子地图的经验传输预测　模型正逐渐显示出优势。　关键词：无线通信；场强；预测；经验；模型；电子地图　中图分类号：ＴＮ９２９．５　文献标识码：Ａ　文章编号：１６７３—１１３１（２０１３）０２—００１１－０２　Ａｂｓｔｒａｅｔ：Ｆｉｅｌｄ　ｓｔｒｅｎｇｔｈ　ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎ　ｐｒｏｂｌｅｍ　ｉｎ　ｗｉｒｅｌｅｓｓ　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　ｒａｄｉｏ　ｉｓ　ｐａｒｔｉｃｕｌａｒｌｙ　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ｆｏｒ　ｈｔｅ　ｗｈｏｌｅ　ｗｉｒｅｌｅｓｓ　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　ｎｅｔｗｏｒｋ　ｐｌａｎｎｉｎｇ，ａｃｃｕｒａｔｅ　ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎ　ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎ　ｈａｓ　ｉｍｐｏｒｔｎａｔ　ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ　ｖａｌｕｅ　ｆｏｒ　ｈｔｅ　ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｎｅｔｗｏｒｋ　ｎａｄ　ｔｈｅ　ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｂａｓｅ　ｓｔａｔｉｏｎ　ｌｏｃａｔｉｏｎ．．Ｉｎ　ｔｈｅ　ｓｐｅｃｉａｌ　ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ，ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ　ｒａｄｉｏ　ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎ　ｍｏｄｅｌｓ　ｃｏｕｌｄ　ｎｏｔ　ｍｅａｔ　ｔｈｅ　ｄｅｍａｎｄ　ｏｆｒ　ａｄｅｑｕａｔｅ　ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎ　ａｃｃｕｒａｃｙ　ｂｅｃａｕｓｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｌａｃｋ　ｏｆ　ｄｅｔａｉｌｅｄ　ｇｅｏｇｒａｐｈｉｃ　ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ．Ｎｏｗ，ｔｈｅ　ｕｓｅ　ｏｆ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｍａｐ　ｈａｓ　ｂｅｅｎ　ｗｉｄｅｌｙ　ａｐｐｌｉｅｄ　ｔｏ　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　ｆｏｒｅｃａｓｔ，ｎａｖｉｇａｔｉｏｎ　ｅｔｃ．Ｔｈｅｒｅｆｏｒｅ，ｔｈｅ　ｒａｄｉｏ　ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎ　ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ　ｍｏｄｅｌｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｍａｐ　ｉｓ　ｇｒａｄｕａｌｌｙ　ｓｈｏｗｉｎｇ　ｔｈｅｉｒ　ａｄｖａｎｔａｇｅ．　Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｗｉｒｅｌｅｓｓ　ｃｏｎｎｎｕｎｉｃａｔｉｏｎ　ｆｉｅｌｄ　ｓｔｒｅｎｇｔｈ　ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ　ｍｏｄｅｌ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｍａｐ　在当今社会，无线通信已经成为人们生活工作密不可分　个小区间内用低次多项式来逼近原本的曲线，并且在各结点　的一部分。在无线通信系统设计过程中，如何确定给定条件　的连接处又保证是光滑的（即导数连续）。下面讲述三次样条　下的接受场强是进一步系统设计的前提。通过电子地图上的　函数的概念及构造方法。　地形信息可以给场强预测提供详细而准确的参数。　１．１三次样条插值函数的构造“　文章是基于Ｃ＋＋ｂｕｉｌｄｅｒ软件下，利用其中的控件Ｍａｐｏｂ—　根据定义，三次样条函数在插值结点处一阶导数应存在。　ｉｅｃｔ来完成电子地图的载入以及操作。通过对于地图中的地　因此，不妨假设在各结点处的一阶导数为　（　）＝ｒｎｋ，ｋ＝０，１，　理信息的提取来完成电波传播路径损耗问题的计算与分析。　…，ｎ，，二阶导数为Ｓ　（　）＝　：，ｋ＝０，１，…，ｎ，。利用两点厄米特　１样条插值法…　插值公式，就可以得到样条插值函数ｓ（ｘ）在子区间［　］上　样条插值法的基本思想是在由两相邻结点所构成的每一　的表达式为：　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｐｏｗｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ　ｄｅｖｉｃｅｓ【Ｃ】／，３３　ｒｄ　Ａｎｎ　Ｉｎｄｕｓｔｒ　Ｅｌｅｃ　Ｃｏｎｆ．Ｔａｉｐｅｉ．Ｃｈｉｎａ．２００７：１３８０．１３８５．　［２】ＧＧ　Ｒ　Ｐ．Ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｐｅｃｉｉｆｃ　ｏｎ—ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　ｏｆ　ｈｉｇｈ　ｖｏｌｔａｇｅ　ａｎｄ　ｐｏｗｅｒ　ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ］．ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ　Ｅｌｅｃ　Ｄｅｖ，２００４，５　１（３）：　４９２．４９９　　．【３】ＦＵＪＩＨＩＲＡ　Ｔ．Ｔｈｅｏｒｙ　ｏｆ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｓｕｐｅｒｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｄｅｖｉ—　ｃｅｓ【Ｊ］．Ｊｐｎ　Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，１９９７，３６（１０）：６２５４—６２６２　【４】杨发顺．基于超结结构的功率器件的研制［Ｄ】．贵州大学博　士论文，２０１１　【５］　Ｗ．Ｆｕｌｏｐ．Ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎ　ｏｆ　ａｖａｌａｎｃｈｅ　ｂｒｅａｋｄｏｗｎ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｏｆ　图８半超结ＳＢＤ击穿电压　ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｐ—ｎ．　４结语　［６］　杨帆，钱钦松，孙伟峰。６００Ｖ　ＣｏｏｌＭＯＳ优化设计【Ｊ】．电　首先对肖特基二极管以及超结理论进行了分析，加入超结　子器件，２００９，３２（２）：２９６—２９９　结构后的肖特基二极管的反向击穿电压有了很大的提高，考　【７］Ｃｈｅｎ　Ｘ　Ｂ．Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ　ｔｏ　ｔｈｅ“Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｌｉｍｉｔ”ｏｆ　ｐｏｗｅｒ　ｄｅ—　虑到超结的制作工艺以及成本后，采用半超结结构对其进行　ｖｉｃｅ［Ｃ］．５ｔｈ　Ｉｎｔ　Ｃｏｎｆ　Ｓｏｌ　Ｓｔａ　ａｎｄ　Ｉｎｔｅｇｒ　Ｃｉｒｃ　Ｔｅｃｈｎｏｌ　Ｐｒｏｃ．　进一步的优化。半超结ＳＢＤ的反向击穿电压是超结部分和底　Ｂｅｉｊｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ，１９９８：１４１．１４４　端辅助层的击穿电压之和，在相同的深宽比下，半超结ＳＢＤ的　［８】　Ｃｈｅｎ　Ｘ　Ｂ，Ｊｏｈｎｎｙ　Ｋ　Ｏ　Ｓｉｎ．Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｐｅｃｉｉｆｃ　ｏｎ—　导通电阻比超结ＳＢＤ的小。通过仿真，得到一个击穿电压为　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　ｏｆ　ｈｔｅ　ＣＯＯＬＭＯＳ［Ｊ］．ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ　ｏｎ　Ｅ１ｅｃｔｒｏｎ　５００Ｖ的半超结ＳＢＤ器件。　Ｄｅｖｉｃｅ，２００１，４８（２）：３４４．３４８　参考文献：　作者简介：郝红蕾（１９８７一），女，河北邢台人，硕士，研究方向为　【１】ＥＮ　Ｙ，ＬＩＡＮＧ　Ｙ　Ｃ，ＳＡＭＵＤＲＡ　Ｇ　Ｓ，Ｐｒｏｃｅｓｓｉｏｎ　ｏｆｓｕｐｅｒ一　功率器件与制造工艺。　懈　●