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在有电噪声的环境中使用可控硅时,若栅极上的噪声电压超过VGT,且有足够的栅电流激发可控硅内部的正反馈,则可控硅会被触发导通。为避免此情况,安装时应尽量使栅极连线短,若不能做到,则使用绞线或屏蔽线减少干扰。在G与MT1之间加一个1KΩ的电阻以降低灵敏度,也可并联一个100nf的电容滤除高频噪声。
在驱动大电感性负载时,负载电压和电流间存在较大相移。当负载电流过零时,双向可控硅开始换向,但因相移导致电压非零,要求快速关断电压以防止误触发。为解决此问题,可于MT1和MT2之间添加一个RC网络电压变化,通常电阻取100W,电容取100nF。此电阻不能省略。
负载电流增大、电源频率增高或电源非正弦波时,转换电流变化率增加,易导致器件损坏。解决方法是在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。
在处于截止状态的双向可控硅两端施加小于VDFM的高速变化电压时,内部电容电流会产生足够的栅电流使可控硅导通,尤其在高温下更严重。为防止此现象,可在MT1和MT2间添加一个RC缓冲电路VD/DT,或采用高速可控硅。
可控硅连续峰值开路电压VDRM在电源不正常时可能被超过,导致漏电流增大并击穿导通。若负载允许大浪涌电流,硅片局部电流密度将高,易使小部分先导通,导致芯片烧毁或损坏。白炽灯、容性负载或短路保护电路会产生较高浪涌电流,可采用滤波器和钳位电路防止尖峰电压加到双向可控硅上。
可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。